干貨|石墨烯薄膜制備技術(shù)優(yōu)缺點對比詳解石墨烯薄膜的制備石墨烯由于其超強(qiáng)的熱穩(wěn)定性、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械穩(wěn)定性以及高透光性和電子遷移率等優(yōu)點,因而被認(rèn)為是制備膜材料**的材料之一。目前,石墨烯薄膜的制備方法有多種,主要包括:旋涂法、噴涂法、層層自組裝和化學(xué)氣相沉積法等。不同方法在制備石墨烯薄膜中的優(yōu)缺點 1、旋涂法 旋涂法是一種較簡單的制備石墨烯薄膜的方法。首先,配制一定濃度的石墨烯溶液,采用高速離心得到單層石墨烯分散液。其次,將其覆蓋到預(yù)處理過的基底表面。最后,選擇適宜的轉(zhuǎn)速旋涂一定時間即得到石墨烯薄膜。溶液的濃度、旋涂速度、溶劑類型、旋涂次數(shù)以及外界溫度和濕度都對薄膜的厚度和質(zhì)量具有一定的影響。 Yin等采用旋涂法在PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)表面制備出厚約16nm的石墨烯薄膜,這種膜具有良好的柔韌性和導(dǎo)電性,且在有機(jī)光伏電池中能穩(wěn)定工作? Karthick等先采用4-苯重氮磺酸鹽對石墨烯進(jìn)行修飾改性,接著將其分散在水中制備成膠狀分散液?最后,通過旋涂法在玻璃襯底表面將其制備成透明導(dǎo)電薄膜,其在可見光波長為550nm下透光率高達(dá)89%,這種方法可以有效解決石墨烯在水溶液中分散性差的問題,從而消除其在應(yīng)用中因分散性問題.帶來的阻礙,是一種簡單、快速制備高質(zhì)量石墨烯薄膜的方法。 優(yōu)缺點: 旋涂法是目前制備薄膜材料常用的一種方法,采用這種方法制備的薄膜較均勻、厚度可控且制備工藝簡單,可以在任意形狀的基底上制備薄膜,但最適合旋涂有一定粘度的溶液且溶劑的選取對膜質(zhì)量影響較大。
2、噴涂法 噴涂法制備石墨烯薄膜是通過噴霧槍霧化石墨烯分散液,然后將霧化的分散液噴灑在基底表面,待溶劑揮發(fā)完全后即得到石墨烯薄膜。噴涂法制備薄膜中分散液的濃度、分散程度、噴涂的均勻性以及噴涂的時間均對薄膜的均一性和質(zhì)量有很大的影響。 優(yōu)缺點: 噴涂法制備石墨烯膜的方法具有簡單易操作、效率高、成本低、可在任意基底進(jìn)行、對膜損傷小和可制備大面積薄膜等特點。但是,這一方法對懸浮液分散性要求較高,薄膜的均勻性不好,厚度難以精確控制。 3、層層自組裝法 層層自組裝法制備石墨烯薄膜,通常是先通過表面改性,使石墨烯氧化物表面帶有不同基團(tuán)、電荷,從而通過靜電力、π-π作用、氫鍵等為驅(qū)動力進(jìn)行層層自組裝制備出多功能的石墨烯薄膜,作用力的不同對薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)具有顯著的影響。 Wan等采用自組裝法通過檸檬酸鈉還原氧化石墨烯制備出一種韌性**的石墨烯薄膜,是一種有效且環(huán)保的制備石墨烯薄膜的新方法,在簡單、有效制備韌性佳的石墨烯薄膜方面具有很大的應(yīng)用潛力。 江蘇大學(xué)的周亞洲等采用靜電自組裝技術(shù),通過交替沉積聚(二烯丙基二甲基氯化銨)(PDDA)(或硝酸銀)和氧化石墨烯,制備氧化石墨烯/PDDA薄膜和氧化石墨烯/硝酸銀復(fù)合薄膜?他們在600℃經(jīng)氬氣和氫氣還原后得到石墨烯薄膜和石墨烯/銀復(fù)合薄膜。結(jié)果表明,通過靜電自組裝法可以獲得生長均勻的薄膜,對比相同自組裝次數(shù)的石墨烯薄膜,石墨烯/銀復(fù)合薄膜具有更好的透光性和更低的薄膜方塊電阻。同時,研究發(fā)現(xiàn)銀的加入不僅能夠有效改善薄膜的導(dǎo)電性而且能夠改善其透光率。由此可見,此方法對于制備多功能、高品質(zhì)石墨烯薄膜具有深遠(yuǎn)指導(dǎo)意義。 優(yōu)缺點: 層層自組裝法制備多功能石墨烯或者石墨烯復(fù)合薄膜,不受基底種類、形狀、大小的限制,可以通過控制超薄膜的結(jié)構(gòu)、成分來制備多功能超薄膜。目前層層自組裝方法已經(jīng)實現(xiàn)自動化生產(chǎn)。 4、化學(xué)氣相沉積法 化學(xué)氣相沉積(CVD)法是目前應(yīng)用最廣泛的一種大規(guī)模工業(yè)化制備半導(dǎo)體薄膜材料的沉積技術(shù),它提供了一種可控制備石墨烯薄膜的有效方法。在CVD法中,基底的類型、生長的溫度、前驅(qū)體的流量等參數(shù)的選擇對石墨烯薄膜的生長工藝參數(shù)(如生長速率、厚度、面積等)具有很大的影響。 優(yōu)缺點: 采用CVD法可以得到性能優(yōu)異的大尺寸石墨烯薄膜,是目前制備高質(zhì)量石墨烯薄膜的常用方法,但是其制備過程中苛刻的實驗條件和復(fù)雜的操作方法,使其很難成為一種大規(guī)模制備石墨烯薄膜的方法。 5、其他方法 Coleman等將石墨在膽酸鈉的水溶液中超聲剝離后經(jīng)混纖膜抽濾,得到不同厚度的石墨烯薄膜,將薄膜轉(zhuǎn)移到PET基底上,制備出柔性透明導(dǎo)電薄膜。結(jié)果表明,制備的薄膜經(jīng)氫氣和氬氣混合氣體氣氛還原后,其電導(dǎo)率明顯提高。多次彎曲后電阻變化不大,表明其具有非常良好的柔韌性,這種性能是ITO導(dǎo)電薄膜無法實現(xiàn)的。 朱辰杰等以SnCl4·5H2O和石墨烯為原料,采用溶膠-凝膠法在石英玻璃襯底上制備了SnO2摻雜石墨烯的薄膜。結(jié)果表明,石墨烯的摻入使氧化錫薄膜的晶體質(zhì)量得到提高,薄膜樣品的光學(xué)譜帶發(fā)生“紅移”現(xiàn)象,隨著石墨烯含量的增加,氧化錫薄膜光致發(fā)光強(qiáng)度表現(xiàn)為逐步淬滅的現(xiàn)象。 Lim等采用恒電位聚合法制備了聚吡咯/石墨烯/錳氧化物三元納米復(fù)合薄膜。電化學(xué)測試結(jié)果表明,該三元納米復(fù)合電**有高的比電容(可達(dá)320.6F/g),且經(jīng)過1000個充電/放電循環(huán)后,其比電容仍能保持其初始值的93%以上。 Kim等用共電沉積法制備了石墨烯片層兩側(cè)沉積NiO的石墨烯復(fù)合薄膜(其制備流程圖如圖2所示)。這種薄膜顯示出良好的循環(huán)性和優(yōu)異的導(dǎo)電性,作為鋰離子電池的陽極材料,經(jīng)過50次循環(huán)充電/放電后其容量仍能保留586mA·h/g。 |